Футхилл Ранч, КалифорниÑ, СШÐ, 9 Ð´ÐµÐºÐ°Ð±Ñ€Ñ 2015 г. Обновленное техничеÑкое руководÑтво, опубликованное компанией Bal Seal Engineering, Inc., предÑтавлÑет проектировщикам активных имплантатов подробное опиÑание Ñлектроконтактной технологии Bal Conn®, иÑпользуемой компанией Ð´Ð»Ñ Ð´Ð¾ÑÑ‚Ð¸Ð¶ÐµÐ½Ð¸Ñ ÐµÐ´Ð¸Ð½Ð¾Ð¾Ð±Ñ€Ð°Ð·Ð¸Ñ Ð¸ надежноÑти Ñоединений в имплантируемых уÑтройÑтвах нейромодулÑции и Ñердечно-ÑоÑудиÑтой хирургии.
Ð’ 10-Ñтраничном руководÑтве под названием «Ð’арианты ÑлектричеÑкого контакта Ð´Ð»Ñ Ð¼ÐµÐ´Ð¸Ñ†Ð¸Ð½Ñких активных имплантатов» опиÑан ÑпоÑоб ÑƒÐ»ÑƒÑ‡ÑˆÐµÐ½Ð¸Ñ Ñ€Ð°Ð±Ð¾Ñ‚Ñ‹ уÑтройÑтва при иÑпользовании Ñлектроконтактной технологии Bal Conn® компании за Ñчет ÑƒÐ¿Ñ€Ð¾Ñ‰ÐµÐ½Ð¸Ñ Ñ…Ð¸Ñ€ÑƒÑ€Ð³Ð¸Ñ‡ÐµÑкой процедуры Ð¿Ð¾Ð´ÐºÐ»ÑŽÑ‡ÐµÐ½Ð¸Ñ Ð²Ñ‹Ð²Ð¾Ð´Ð¾Ð² к имплантату и ÑÐ¾ÐºÑ€Ð°Ñ‰ÐµÐ½Ð¸Ñ Ñ‚ÐµÐ¼ Ñамым ее продолжительноÑти. Bal Conn характеризуетÑÑ Ð½Ð¸Ð·ÐºÐ¸Ð¼ Ñопротивлением контактов и идеально подходит Ð´Ð»Ñ ÑƒÑтройÑтв Ñ Ð±Ð¾Ð»ÑŒÑˆÐ¸Ð¼ количеÑтвом Ñоединений.
РуководÑтво Ñодержит техничеÑкие характериÑтики двунаправленного неврологичеÑкого, двунаправленного IS-1, одно- и двунаправленного IS-4/DF-4-приложений и Ð¿Ñ€Ð¸Ð»Ð¾Ð¶ÐµÐ½Ð¸Ñ Ð´Ð»Ñ Ð²ÐµÐ½Ñ‚Ñ€Ð¸ÐºÑƒÐ»Ñрного вÑпомогательного уÑтройÑтва (VAD). Ðа иллюÑтрированных, показывающих подробные разрезы, полнолиÑтовых диаграммах приводитÑÑ Ð¾Ð±Ð·Ð¾Ñ€ оÑновных конÑтруктивных преимущеÑтв Ð´Ð»Ñ ÐºÐ°Ð¶Ð´Ð¾Ð³Ð¾ типа приложениÑ.
Также включен раздел, Ñпециально поÑвÑщенный имплантируемой контактной ÑиÑтеме SYGNUS® — первой в мире ÑиÑтеме интегрированного затвора и ÑлектричеÑкого контакта Ð´Ð»Ñ Ð°ÐºÑ‚Ð¸Ð²Ð½Ñ‹Ñ… имплантируемых уÑтройÑтв. Ð’ разделе новых технологий предÑтавлены поÑледние разработки компании, в том чиÑле микрошовные Ñварные контакты Ñ ÑƒÐ¼ÐµÐ½ÑŒÑˆÐµÐ½Ð½Ñ‹Ð¼ наклоном по оÑи и вертикальным лепеÑтком выÑокой плотноÑти, разработанные Ñ Ñ†ÐµÐ»ÑŒÑŽ значительного ÑƒÐ»ÑƒÑ‡ÑˆÐµÐ½Ð¸Ñ Ñ„ÑƒÐ½ÐºÑ†Ð¸Ð¾Ð½Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð¾Ñти уÑтройÑтв при одновременном уменьшении общего размера пакета.